[News] Oxyde d'hafnium: une future révolution dans le stockage informatique ?

[Adrien]

Les scientifiques se tournent vers l'oxyde d'hafnium, ou hafnia, pour révolutionner la mémoire informatique. Ce matériau, étudié notamment par Sobhit Singh de l'Université de Rochester, pourrait permettre le développement de mémoires ferroélectriques non-volatiles, offrant ainsi une alternative plus rapide, moins coûteuse et plus économe en énergie par rapport aux technologies actuelles. L'oxyde d'hafnium se distingue par sa capacité à changer de polarisation électrique sous ...

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