MRAM: ¿la memoria informática del futuro finalmente aquí? ⚡
Esta innovación se basa en la memoria MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), conocida por su rapidez y su capacidad para conservar los datos sin alimentación eléctrica. A diferencia de la RAM tradicional, la MRAM no se ralentiza bajo una fuerte demanda.
La limitación de la MRAM era su alto consumo energético durante la escritura de datos. Los investigadores han superado este obstáculo desarrollando un nuevo componente que reduce considerablemente la energía necesaria para cambiar la polaridad del soporte.
En un artículo publicado en Advanced Science, los científicos describen su prototipo, una estructura multiferroica heterogénea. Esta estructura integra una fina capa de vanadio entre materiales ferroeléctricos y piezoeléctricos, permitiendo una magnetización por campo eléctrico.
Esta capa de vanadio juega un papel crucial al estabilizar la dirección de la magnetización, un problema recurrente en los dispositivos MRAM anteriores. Las pruebas han mostrado que la dirección magnética puede ser invertida con una corriente eléctrica, manteniendo la estabilidad sin alimentación.
Sin embargo, el estudio no abordó la degradación de la eficiencia de conmutación con el tiempo, un problema común en los dispositivos eléctricos. A pesar de ello, esta tecnología promete un uso más duradero y potente en los ordenadores comerciales.
Finalmente, este nuevo enfoque de la MRAM podría cambiar nuestra forma de entender la informática al ofrecer un rendimiento superior con un consumo energético reducido. Representa una alternativa prometedora a las tecnologías de memoria actuales, sin necesidad de piezas móviles.
¿Qué es la memoria MRAM?
La memoria MRAM, o Magnetoresistive Random Access Memory, es una tecnología de almacenamiento que combina las ventajas de la RAM y las memorias de almacenamiento tradicionales. Es capaz de conservar los datos sin alimentación eléctrica, al mismo tiempo que ofrece velocidades de acceso rápidas.
A diferencia de la RAM dinámica (DRAM) que pierde sus datos sin alimentación, la MRAM utiliza uniones magnéticas para almacenar la información. Esto permite una retención de datos a largo plazo, incluso en ausencia de corriente.
La MRAM también es no volátil, lo que significa que no necesita un refresco constante para mantener los datos. Esta característica la hace especialmente interesante para aplicaciones que requieren una gran fiabilidad y un bajo consumo de energía.
Además, la MRAM es resistente a las radiaciones, lo que la hace ideal para entornos espaciales y militares, donde la fiabilidad y la durabilidad son primordiales.
¿Cómo funciona la nueva tecnología MRAM?
La nueva tecnología MRAM desarrollada por los investigadores japoneses utiliza una estructura multiferroica heterogénea. Esta estructura incluye una capa de vanadio entre materiales ferroeléctricos y piezoeléctricos, permitiendo una magnetización por campo eléctrico.
La capa de vanadio actúa como un amortiguador, estabilizando la dirección de la magnetización. Esto resuelve un problema importante de los dispositivos MRAM anteriores, donde la dirección de la magnetización era difícil de mantener estable.
Aplicando una corriente eléctrica, los investigadores han podido invertir la dirección magnética de los materiales. Esta inversión se mantiene incluso después de eliminar la corriente, permitiendo una retención de datos estable sin alimentación.
Esta innovación reduce considerablemente el consumo de energía necesario para escribir datos, al mismo tiempo que aumenta la velocidad de los procesos. Abre el camino a aplicaciones informáticas más potentes y duraderas.